반도체 산업의 주요 용어 설명

반도체 산업의 주요 용어 설명

구 분	설 명
FAB	반도체를 만드는 공장 내 전(前)공정을 하는 곳을 말함.
파운드리 (Foundry)	반도체 설계 디자인을 위탁 받아서 생산하는 기업.
증착 (Deposition)	원자 또는 분자 단위의 물질(전구체 등)을 챔버내에서 반응시켜 웨이퍼의 표면에 박막을 형성시켜주는 공정임. 증착의 방법에는 크게 물리적 기상증착방법(PVD)과 화학적 기상증착방법(CVD)으로 나뉘게 됨. 증착 공정을 통해 형성된 박막은 크게 회로들 간 전기적인 신호를 연결해 주는 금속막(전도)층과 내부 연결 층을 전기적으로 분리하거나 오염원으로부터 차단시켜주는 절연막층으로 구분됨.
확산 (Diffusion)	웨이퍼의 특정 영역에 불순물을 주입하고 불순물의 영역이 일정한 크기와 농도를 갖도록 고온에서 열처리 하는 공정.
PVD (Physical Vapor Deposition) (물리적 기상 증착법	증착하고자 하는 금속을 진공속에서 기화시켜 방해물 없이 기판에 증착하는 기법/ Cvd (Chemica Vapor Deposition)에 대비해서 쓰는 말로 박막을 증착하는 과정에서Sputtering등의 물리적 증착법을 이용하는 기술을 총칭.
CVD (Chemical Vapor Deposition) (화학 기상 증착법)	CVD 기술은 형성하고자 하는 박막 재료를 구성하는 원소와 가스를 기판위에 공급 하여 기상 또는 기판 표면에서의 열분해, 광분해, 산화환원반응, 치환 등의 화학적 반응으로 박막을 기판 표면에서 형성하는 방법임.
ALD (Atomic Layer Deposition) (원자층 증착법)	ALD 금속이 포함된 원료와 반응 가스를 교차하여 주입함으로써 박막을 성장시키 는 방법. 원료와 가스를 반응시켜 원자단위 박막을 성장시키고 이를 되풀이 하여 박막 두께를 조절함. PVD와 CVD와 비교하면 박막의 두께가 자유롭게 조정이 가능해 박막을 매우 얇게 만들 수 있으며, 우수한 흡착력을 보임.
식각 (Etching)	웨이퍼에 액체나 기체의 식각액을 이용해 불필요한 부분을 선택적으로 제거하는 공정으로, 동판화의 기법과 비슷한 원리로 반도체의 회로 패턴을 만드는 것임. 반도체를 구성하는 여러 층의 얇은 막에 회로 패턴을 만드는 과정을 반복하여 반도체의 구조가 형성되며, 포토 공정을 통해 부식 방지막을 형성하고, 부식액 역할을 하는 식각액으로 불필요한 회로를 벗겨 냄. 식각공정은 식각 반응을 일으키는 물질의 상태에 따라 습식(wet etching)과 건식 (dry etching)으로 나뉨.
CoA (Certificate of Analysis)	모든 제품의 생산 후 공급자가 제품에 대하여 보증을 한다는 내용으로, 당사에서는 제품의 금속 불순물을 분석하여 당사 제품의 순도가 높다는 보증을 함.
DRAM (Dynamic Ram)	정보를 읽고 쓰는 것은 가능하지만 전원이 공급되고 있는 동안이라도 일정 기간 내에 주기적으로 정보를 다시 넣지 않으면 내용이 없어지는 휘발성 메모리 반도체를 지칭함. 기억소자(메모리소자)당 투자비용이 낮고 집적도를 높이기에 유리하여 주로 대용량 메모리로 활용돼어 왔음.
NAND	NAND flash의 줄임말로, 전원이 없는 상태에서도 데이터를 계속 저장할 수 있으며, 데이터를 자유롭게 저장 및 삭제 할 수 있는 메모리 반도체를 지칭함. 최근 3차원 수직구조로 회로를 쌓아 올려 집적도를 높인 3D NAND가 개발됨.
디바이스(DRAM 디바이스)	반도체 소자를 뜻하며 DRAM, SRAM, Flash memory 등을 디바이스라고 말함.
커패시터(capacitor)	DRAM소자에서 전하를 저장하는 영역으로 두개의 전극이 절연체를 사이에 두고 마주보고 있는 형상으로 되어 있음. 전극 사이에 있는 절연체를 high-k(고유전율) 물질이라고 함. 커패시터의 특성은 절연체의 유전율과 마주한 두 전극의 면적에 비례하여 커지며 절연체의 두께에 반비례함.
옥사이드	금속 산화막을 의미하며 디바이스 구조내에 절연막 기능을 수행함. 대표적인 옥사이드 박막으로 ZrO2, Al2O3, SiO2 등이 있음.
전구체	박막을 증착하기 위해 사용되는 원료물질을 의미함.
High-k(고유전율) 전구체	커패시터 절연막을 증착하기 위한 원료물질을 의미함.
Low-k(저유전율) 전구체	저유전율을 가진 절연막을 증착하기 위한 원료물질을 의미함.
유전율	전기장에서 전기 에너지를 축척하는 물체의 능력.
옥사이드용 전구체	금속 산화막을 증착하기 위한 원료물질을 의미함.
금속배선용(전극용) 전구체	금속배선(Al, W, Cu 등)을 증착하기 위해 사용되는 원료물질을 의미함.
확산방지막 (Diffusion Barrier)용 전구체	금속배선 형성 시 금속원소나 타 불순물 원소가 절연막으로 확산되어 오염되는 것을 방지하기 위한 용도로 사용되는 박막을 증착하기 위한 원료물질을 의미함.

[ 출처 : 메카로 증권신고서 자료중 일부 ]